ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే | వివిక్త సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తులు | 4

GP2M004A065FG

పార్ట్ స్టాక్: 1889

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M004A060HG

పార్ట్ స్టాక్: 1881

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M020A060N

పార్ట్ స్టాక్: 6248

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M003A080H

పార్ట్ స్టాక్: 1885

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 800V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M011A050HS

పార్ట్ స్టాక్: 1850

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M005A050HS

పార్ట్ స్టాక్: 1901

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.85 Ohm @ 2A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M020A060M

పార్ట్ స్టాక్: 1916

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M009A090NG

పార్ట్ స్టాక్: 1918

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 900V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M008A050HG

పార్ట్ స్టాక్: 1960

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M003A090PH

పార్ట్ స్టాక్: 1956

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 900V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M005A040PG

పార్ట్ స్టాక్: 1907

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 400V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M020A050N

పార్ట్ స్టాక్: 28613

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M008A060PGH

పార్ట్ స్టాక్: 1899

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M009A060H

పార్ట్ స్టాక్: 1933

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M004A065PG

పార్ట్ స్టాక్: 1880

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M018A020CG

పార్ట్ స్టాక్: 1913

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M005A050HG

పార్ట్ స్టాక్: 1935

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M010A060H

పార్ట్ స్టాక్: 1950

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M006A065CH

పార్ట్ స్టాక్: 1862

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M018A020FG

పార్ట్ స్టాక్: 1939

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M006A065PH

పార్ట్ స్టాక్: 1875

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M008A060PG

పార్ట్ స్టాక్: 1919

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M006A065F

పార్ట్ స్టాక్: 1887

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M009A020CG

పార్ట్ స్టాక్: 1941

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M008A025CG

పార్ట్ స్టాక్: 1900

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M009A090FH

పార్ట్ స్టాక్: 1901

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 900V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M012A060F

పార్ట్ స్టాక్: 1925

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M007A090H

పార్ట్ స్టాక్: 1959

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 900V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M008A025PG

పార్ట్ స్టాక్: 1935

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M003A050CG

పార్ట్ స్టాక్: 1922

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.25A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M012A060H

పార్ట్ స్టాక్: 1918

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP2M009A090FG

పార్ట్ స్టాక్: 6240

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 900V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M006A070FH

పార్ట్ స్టాక్: 6270

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 700V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M008A050FG

పార్ట్ స్టాక్: 1931

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M016A025HG

పార్ట్ స్టాక్: 1961

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8A, 10V,

కోరికల జాబితా

Global Power Technologies Group

GP1M016A060N

పార్ట్ స్టాక్: 1952

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 8A, 10V,

కోరికల జాబితా