ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 641

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 620

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
IRFP264PBF

IRFP264PBF

పార్ట్ స్టాక్: 15842

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 38A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 23A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7483ADP-T1-GE3

SI7483ADP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 655

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 24A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR476DP-T1-GE3

SIR476DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 77110

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 692

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 75V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 13.8A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 646

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
IRFB17N50LPBF

IRFB17N50LPBF

పార్ట్ స్టాక్: 11072

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 9.9A, 10V,

కోరికల జాబితా
SUP50020EL-GE3

SUP50020EL-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 21692

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 120A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 714

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6.3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 192138

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
IRFR024TRPBF

IRFR024TRPBF

పార్ట్ స్టాక్: 180864

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA814DJ-T1-GE3

SIA814DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 692

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.3A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 610

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 650

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7186DP-T1-GE3

SI7186DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 671

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 32A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 638

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI1054X-T1-GE3

SI1054X-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 649

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1.32A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI6410DQ-T1-GE3

SI6410DQ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 663

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 7.8A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 676

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 6071

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
IRFR9214TRPBF

IRFR9214TRPBF

పార్ట్ స్టాక్: 98662

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA443DJ-T1-GE3

SIA443DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 608

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7366DP-T1-GE3

SI7366DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 677

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 687

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7194DP-T1-GE3

SI7194DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 51955

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 6112

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7459DP-T1-GE3

SI7459DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 680

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 22A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 617

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SUD35N10-26P-E3

SUD35N10-26P-E3

పార్ట్ స్టాక్: 70337

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 12A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFBC20PBF

IRFBC20PBF

పార్ట్ స్టాక్: 66638

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 6101

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9.8A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
IRFR9310TRPBF

IRFR9310TRPBF

పార్ట్ స్టాక్: 132545

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 400V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 649

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V,

కోరికల జాబితా
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

పార్ట్ స్టాక్: 4840

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 87A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 45A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA450DJ-T1-GE3

SIA450DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 630

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 240V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.52A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 700mA, 10V,

కోరికల జాబితా