Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే
SI4126DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4126DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 61700

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 39A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.75 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR870DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR870DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 60973

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR826DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR826DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 7967

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SUD19N20-90-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD19N20-90-T4-E3

పార్ట్ స్టాక్: 49898

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 19A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIHD7N60E-E3
Vishay Siliconix

SIHD7N60E-E3

పార్ట్ స్టాక్: 76161

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI1032R-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1032R-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 195024

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 140mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7430DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7430DP-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 61538

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 26A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 8V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SUD40N10-25-E3
Vishay Siliconix

SUD40N10-25-E3

పార్ట్ స్టాక్: 44764

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQJ457EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ457EP-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 184399

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 36A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI2312CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2312CDS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 162492

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7390DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 57412

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQM90142E_GE3
Vishay Siliconix

SQM90142E_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 44244

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 95A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIHF12N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHF12N60E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 50457

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIHJ8N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHJ8N60E-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 69561

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SUD40151EL-GE3
Vishay Siliconix

SUD40151EL-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 7913

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 42A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 17.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI2333CDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2333CDS-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 105597

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.1A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2308BDS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 119268

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.3A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.9A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQ4401EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4401EY-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 57436

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17.3A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR846ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR846ADP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 67682

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIHU7N60E-E3
Vishay Siliconix

SIHU7N60E-E3

పార్ట్ స్టాక్: 74123

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4456DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4456DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 68718

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 33A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQD90P04-9M4L_GE3
Vishay Siliconix

SQD90P04-9M4L_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 60943

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 90A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 17A, 10V,

కోరికల జాబితా
TP0610K-T1-GE3
Vishay Siliconix

TP0610K-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 190872

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 185mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR826DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR826DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 51964

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4190ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4190ADY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 82342

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18.4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIS413DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS413DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 136739

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI2372DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2372DS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 142591

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4A (Ta), 5.3A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7898DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7898DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 37995

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA400EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA400EDJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 108266

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 11A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SQM40P10-40L_GE3
Vishay Siliconix

SQM40P10-40L_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 8011

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7636DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7636DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 58750

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIDR402DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR402DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 5860

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 64.6A (Ta), 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 0.88 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR882DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR882DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 60907

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQJ461EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ461EP-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 52002

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 30A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 14.4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SUM70060E-GE3
Vishay Siliconix

SUM70060E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 62874

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 131A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQJQ404E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ404E-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 8038

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 200A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.72 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా