రకం | వర్ణన |
పార్ట్ స్థితి | Active |
---|---|
FET రకం | N-Channel |
సాంకేతికం | SiCFET (Silicon Carbide) |
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది | 650V |
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. | 93A (Tc) |
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) | 18V |
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (గరిష్టంగా) | +22V, -4V |
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds | 2208pF @ 500V |
FET ఫీచర్ | - |
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) | 339W (Tc) |
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత | 175°C (TJ) |
మౌంటు రకం | Through Hole |
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ | TO-247N |
ప్యాకేజీ / కేసు | TO-247-3 |
రోహ్స్ స్థితి | రోహ్స్ కంప్లైంట్ |
---|---|
తేమ సున్నితత్వం స్థాయి (MSL) | వర్తించదు |
లైఫ్సైకిల్ హోదా | Obsolete / లైఫ్ ఎండ్ |
స్టాక్ వర్గం | అందుబాటులో ఉన్న స్టాక్ |