Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

BUK7226-75A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7226-75A,118

పార్ట్ స్టాక్: 189676

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 75V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 45A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK7604-40A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7604-40A,118

పార్ట్ స్టాక్: 62179

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 75A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK7108-40AIE,118
Nexperia USA Inc.

BUK7108-40AIE,118

పార్ట్ స్టాక్: 1464

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 75A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK625R2-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK625R2-30C,118

పార్ట్ స్టాక్: 117505

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 90A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK653R3-30C,127
Nexperia USA Inc.

BUK653R3-30C,127

పార్ట్ స్టాక్: 1461

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK6246-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6246-75C,118

పార్ట్ స్టాక్: 182043

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 75V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 22A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK962R8-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK962R8-30B,118

పార్ట్ స్టాక్: 81412

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 75A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK7Y59-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y59-60EX

పార్ట్ స్టాక్: 163556

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK9D23-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9D23-40EX

పార్ట్ స్టాక్: 9999

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK7Y9R9-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y9R9-80EX

పార్ట్ స్టాక్: 141706

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 89A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BTS121AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS121AE3045ANTMA1

పార్ట్ స్టాక్: 6242

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 22A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSS169L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6906HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 1454

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 170mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 0V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS159NL6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6906HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 1478

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 230mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 0V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP320SL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 1391

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP324L6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 1482

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 400V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 170mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSF050N03LQ3GXUMA1
Infineon Technologies

BSF050N03LQ3GXUMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1464

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 15A (Ta), 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSD816SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSD816SNL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 1485

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.4A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 2.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSB012NE2LX
Infineon Technologies

BSB012NE2LX

పార్ట్ స్టాక్: 1435

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 37A (Ta), 170A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSB017N03LX3 G
Infineon Technologies

BSB017N03LX3 G

పార్ట్ స్టాక్: 1460

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 32A (Ta), 147A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies

BSB012N03LX3 G

పార్ట్ స్టాక్: 1453

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 39A (Ta), 180A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSP320SL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP320SL6433HTMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1443

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS123L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS123L6433HTMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1415

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 170mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSP135L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP135L6433HTMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1475

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 120mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 0V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSP296L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP296L6433HTMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1422

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSP125L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP125L6433HTMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1378

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 120mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSF077N06NT3GXUMA1
Infineon Technologies

BSF077N06NT3GXUMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1439

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13A (Ta), 56A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC889N03MSGATMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1403

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Ta) 44A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC889N03LSGATMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1458

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13A (Ta), 45A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSC884N03MS G
Infineon Technologies

BSC884N03MS G

పార్ట్ స్టాక్: 1453

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 34V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), 85A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSC882N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC882N03MSGATMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1461

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 34V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 22A (Ta), 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies

BSC240N12NS3 G

పార్ట్ స్టాక్: 1398

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 120V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 37A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 31A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSV236SPH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSV236SPH6327XTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 144710

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSS127H6327XTSA2
Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA2

పార్ట్ స్టాక్: 137721

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 21mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK961R4-30E,118
NXP USA Inc.

BUK961R4-30E,118

పార్ట్ స్టాక్: 1432

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 120A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 5V,

కోరికల జాబితాకు
BUK761R3-30E,118
NXP USA Inc.

BUK761R3-30E,118

పార్ట్ స్టాక్: 1413

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 120A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSN20Q-7
Diodes Incorporated

BSN20Q-7

పార్ట్ స్టాక్: 146657

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 50V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 500mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు