Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

BUK6C2R1-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6C2R1-55C,118

పార్ట్ స్టాక్: 46841

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 55V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 228A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK969R0-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK969R0-60E,118

పార్ట్ స్టాక్: 102324

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 75A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK9Y30-75B/C2,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y30-75B/C2,115

పార్ట్ స్టాక్: 1130

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 75V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 34A, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK9Y19-55B/C2,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-55B/C2,115

పార్ట్ స్టాక్: 1164

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 55V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 46A, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 17.3 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSP110,115
Nexperia USA Inc.

BSP110,115

పార్ట్ స్టాక్: 1086

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 520mA (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

కోరికల జాబితాకు
BUK6E2R0-30C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6E2R0-30C,127

పార్ట్ స్టాక్: 31040

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 120A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK6507-75C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6507-75C,127

పార్ట్ స్టాక్: 1003

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 75V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK7607-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7607-30B,118

పార్ట్ స్టాక్: 156921

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 75A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK725R0-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK725R0-40C,118

పార్ట్ స్టాక్: 145924

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 75A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK724R5-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK724R5-30C,118

పార్ట్ స్టాక్: 145943

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 75A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK763R6-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK763R6-40C,118

పార్ట్ స్టాక్: 1007

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK754R0-40C,127
Nexperia USA Inc.

BUK754R0-40C,127

పార్ట్ స్టాక్: 1037

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK761R8-30C,118
NXP USA Inc.

BUK761R8-30C,118

పార్ట్ స్టాక్: 978

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BUK7619-100B,118
NXP USA Inc.

BUK7619-100B,118

పార్ట్ స్టాక్: 6106

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 64A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0908NSATMA1

పార్ట్ స్టాక్: 1017

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 34V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14A (Ta), 49A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS816NW L6327
Infineon Technologies

BSS816NW L6327

పార్ట్ స్టాక్: 875

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.4A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 2.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSS314PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS314PEL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 879

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS806NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS806NL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 961

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 2.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSS159NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS159NH6327XTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 894

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 230mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 0V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 920

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 21mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS126H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 899

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 21mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 0V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSF083N03LQ G
Infineon Technologies

BSF083N03LQ G

పార్ట్ స్టాక్: 6168

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13A (Ta), 53A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSF053N03LT G
Infineon Technologies

BSF053N03LT G

పార్ట్ స్టాక్: 917

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Ta), 71A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSB024N03LX G
Infineon Technologies

BSB024N03LX G

పార్ట్ స్టాక్: 881

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 27A (Ta), 145A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSB053N03LP G
Infineon Technologies

BSB053N03LP G

పార్ట్ స్టాక్: 882

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), 71A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSB019N03LX G
Infineon Technologies

BSB019N03LX G

పార్ట్ స్టాక్: 1636

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 32A (Ta), 174A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS205NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS205NL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 867

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSO220N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO220N03MSGXUMA1

పార్ట్ స్టాక్: 941

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.6A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL802SNL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 843

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 2.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSL302SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL302SNL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 912

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSD214SN L6327
Infineon Technologies

BSD214SN L6327

పార్ట్ స్టాక్: 923

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC200P03LSGAUMA1

పార్ట్ స్టాక్: 884

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.5A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS215PL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 873

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితాకు
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS315PL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 914

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO130N03MSGXUMA1

పార్ట్ స్టాక్: 855

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

కోరికల జాబితాకు
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS83PL6327HTSA1

పార్ట్ స్టాక్: 886

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 330mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

కోరికల జాబితాకు