ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్ | వివిక్త సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తులు | 6

RN2607(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 114

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1507(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 173834

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 146118

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4608(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 136

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 158

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4604(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 154

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909FE(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 90

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1962TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 121

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4983,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 153425

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 158672

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2964(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 160

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2961(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 145

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901FE(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 169

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1609(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 147

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2507(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 152

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1903,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 100046

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1508(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 80

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1904,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 161530

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2704JE(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 106

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2504(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 117

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2503(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 155

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2606(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 132

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4987,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 131504

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN49A2,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 119081

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2710JE(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 107

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 102425

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4601(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 119

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4984,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 182689

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2705JE(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 149

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2962(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 154

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 137101

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 139248

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4985,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 181640

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1705JE(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 82

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 141738

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2701JE(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 102

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా