Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర
RN1115,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 116693

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1426TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1426TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 126115

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1401,LF

పార్ట్ స్టాక్: 151885

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1111,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 113

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2317(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 180586

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1130MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 140527

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 100 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 100 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2108MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 149

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2103(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 2147

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1104T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104T5LFT

పార్ట్ స్టాక్: 2144

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1409,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1409,LF

పార్ట్ స్టాక్: 120898

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2302,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2302,LF

పార్ట్ స్టాక్: 145

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2403,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2403,LF

పార్ట్ స్టాక్: 88

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 174

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1427TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1427TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 108821

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1315,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1315,LF

పార్ట్ స్టాక్: 166

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2412TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 119344

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2409,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2409,LF

పార్ట్ స్టాక్: 182087

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2148

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1307,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1307,LF

పార్ట్ స్టాక్: 145

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1302,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1302,LF

పార్ట్ స్టాక్: 2227

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2308(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2308(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 2150

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1422TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 124907

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1114(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 2223

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1109,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 140640

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2116,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2116,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 149505

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 3291

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 174145

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2102,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 105795

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1111MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 125

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2427TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2427TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 131174

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1442ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1442ATE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 2201

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 300mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

కోరికల జాబితా
RN2304(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2304(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 192778

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1116(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 2175

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 2140

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2318(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 150561

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2200

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా