ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర | వివిక్త సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తులు | 6

RN1112(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 1924

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 126227

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1912

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 100188

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1954

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1987

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1976

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1970

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1984

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2177

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1902

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

పార్ట్ స్టాక్: 9904

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

పార్ట్ స్టాక్: 116634

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 1960

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 300mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2029

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1997

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 128621

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1985

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 1935

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1956

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2014

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 176393

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 158736

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

పార్ట్ స్టాక్: 147458

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1999

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

పార్ట్ స్టాక్: 1905

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 1959

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1945

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 159037

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1965

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1933

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 3234

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 1981

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

పార్ట్ స్టాక్: 184462

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 140630

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 164879

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా