Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర
RN2422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2422TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 150924

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 132067

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1416,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1416,LF

పార్ట్ స్టాక్: 133985

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 185

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2301,LF

పార్ట్ స్టాక్: 142431

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1312(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 100942

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1314(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 151760

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1110,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 121856

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1403,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1403,LF

పార్ట్ స్టాక్: 109

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1421TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1421TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 136591

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN2108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 2133

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1131MFV(TL3,T)

పార్ట్ స్టాక్: 3290

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 100 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2405,LF

పార్ట్ స్టాక్: 121

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1418(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1418(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 2164

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1415(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1415(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 109269

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1424TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1424TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 195582

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1423TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1423TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 181577

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1317(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 179199

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1417(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1417(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 102201

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1114MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 180

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1425TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1425TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 187011

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 470 Ohms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 133670

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1102T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102T5LFT

పార్ట్ స్టాక్: 2168

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2401,LF

పార్ట్ స్టాక్: 151

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2118MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118MFV(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2128

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2115MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 173

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1311,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1311,LF

పార్ట్ స్టాక్: 137

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 103895

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2310,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310,LF

పార్ట్ స్టాక్: 188190

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2314(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 144122

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2114MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 157

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1318(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 168872

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 161993

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1313(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 191183

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1103,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 141203

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 140595

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా