Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర
RN2404TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404TE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 1976

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402S,LF

పార్ట్ స్టాక్: 1953

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 1980

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF(D

పార్ట్ స్టాక్: 1961

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 1986

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1925

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2043

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1932

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406S,LF(D

పార్ట్ స్టాక్: 1944

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 2027

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1975

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF

పార్ట్ స్టాక్: 199880

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1959

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1901

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2112,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 9941

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 1966

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1955

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1413(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1413(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 169265

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1945

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

పార్ట్ స్టాక్: 1956

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1979

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2028

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1977

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1987

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1950

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2045

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 3230

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1956

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 126325

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2063

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1441ATE85LF

పార్ట్ స్టాక్: 176769

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 300mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 5.6 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

కోరికల జాబితా
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108CT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 2026

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 50mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 20V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 1962

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 120698

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1414,LF

పార్ట్ స్టాక్: 112225

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 163677

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా