Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - సింగిల్, ప్ర
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

పార్ట్ స్టాక్: 176974

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1116MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 1741

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 116110

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1309,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309,LF

పార్ట్ స్టాక్: 1726

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 133617

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1119MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 1717

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2421(TE85L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 103457

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 800mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

కోరికల జాబితా
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

పార్ట్ స్టాక్: 114770

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 192815

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 1776

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 181928

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 185360

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1132MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 1709

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 200 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 116839

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

పార్ట్ స్టాక్: 125855

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 80mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 3186

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

పార్ట్ స్టాక్: 138320

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

పార్ట్ స్టాక్: 1723

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: PNP - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

పార్ట్ స్టాక్: 154084

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: NPN - Pre-Biased, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

కోరికల జాబితా