Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే
SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 70460

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 43176

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 248

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 27A (Ta), 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 171482

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 33676

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 245

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 244

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 113255

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

కోరికల జాబితా
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 187703

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 25A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 193041

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 58A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 110153

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 130549

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 258

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 113283

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

పార్ట్ స్టాక్: 37055

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.1A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 35066

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 265

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 22.4A (Ta), 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 57373

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 52849

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 30546

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 16V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 237

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 249

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 51A (Ta), 80A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 199708

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

పార్ట్ స్టాక్: 13653

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 800V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 15A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 30993

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 255

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 261

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 71.9A (Ta), 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 122281

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 66462

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 44771

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 219

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 32.4A (Ta), 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 232

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12.4A (Ta), 45A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 111133

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 251

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 296

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 64154

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 95A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా