Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే
SIS110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS110DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 212

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 270

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 79A (Ta), 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIRA80DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA80DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 291

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7155DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7155DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 220

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 31A (Ta), 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI8401DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E1

పార్ట్ స్టాక్: 139882

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.6A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIR626DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR626DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 81219

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR167DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR167DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 225

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA413ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA413ADJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 219

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIS106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS106DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 264

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9.8A (Ta), 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7137DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7137DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 66464

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4408DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4408DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 41762

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4423DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 57367

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SISS42DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS42DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 256

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4431BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4431BDY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 148689

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.7A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIB417EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB417EDK-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 176135

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI4866DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4866DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 69518

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 11A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR392DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 257

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 82A (Ta), 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4862DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4862DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 41807

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 16V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7454DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7454DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 64945

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA110DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 258

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.4A (Ta), 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI8401DB-T1-E3
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 66637

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.6A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI4436DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4436DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 176138

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4864DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 32930

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7862ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 30529

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 16V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI7423DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7423DN-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 103399

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.4A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 11.7A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4864DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 32968

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 17A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SISS27ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS27ADN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 192126

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SISH129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH129DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 261

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14.4A (Ta), 35A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7804DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 132089

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4413DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413DDY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 225

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI1022R-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1022R-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 149176

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 330mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4413ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413ADY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 57351

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7326DN-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 199704

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA106DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA106DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 209

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10A (Ta), 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI3460BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 199675

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI4442DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4442DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 44342

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 15A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

కోరికల జాబితా