Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే
SIS782DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS782DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9904

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA850DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1464

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 190V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 950mA (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR626DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9959

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 42.8A (Ta), 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI3407DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3407DV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 142996

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
IRFRC20TRRPBF
Vishay Siliconix

IRFRC20TRRPBF

పార్ట్ స్టాక్: 84916

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRLZ34PBF
Vishay Siliconix

IRLZ34PBF

పార్ట్ స్టాక్: 42900

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 30A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

కోరికల జాబితా
SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR668DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9965

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 23.2A (Ta), 95A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIHU6N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU6N80E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9998

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 800V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFR010PBF
Vishay Siliconix

IRFR010PBF

పార్ట్ స్టాక్: 112442

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 50V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIE876DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE876DF-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1473

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQ3419EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3419EEV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1244

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQS484EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS484EN-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 191306

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16.4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIA432DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA432DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 148604

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFZ34PBF
Vishay Siliconix

IRFZ34PBF

పార్ట్ స్టాక్: 44152

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 30A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI2337DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2337DS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 163989

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQ3442EV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3442EV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1221

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.3A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIHA25N60EFL-E3
Vishay Siliconix

SIHA25N60EFL-E3

పార్ట్ స్టాక్: 14046

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 25A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 12.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7772DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7772DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 194051

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35.6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SISA26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA26DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9988

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4410BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4410BDY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 144634

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFU9120PBF
Vishay Siliconix

IRFU9120PBF

పార్ట్ స్టాక్: 43383

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFR420TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR420TRLPBF

పార్ట్ స్టాక్: 93110

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7738DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7738DP-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 43974

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 30A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 7.7A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI8416DB-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI8416DB-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 6167

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SQ7415AEN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ7415AEN-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 142943

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQS420EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS420EN-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 191334

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI1406DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 1472

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
IRF9520PBF
Vishay Siliconix

IRF9520PBF

పార్ట్ స్టాక్: 72559

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6.8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI2319DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2319DS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 164425

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 3A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7892BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7892BDP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 104599

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 15A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFR024TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR024TRLPBF

పార్ట్ స్టాక్: 91025

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFR214TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR214TRLPBF

పార్ట్ స్టాక్: 113500

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIR698DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR698DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 125808

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7464DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7464DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 80856

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.8A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.8A, 10V,

కోరికల జాబితా
SQ3418EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3418EV-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9903

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIS456DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS456DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 164051

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా