ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

హోమ్
ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

SIA436DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA436DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 119071

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI6415DQ-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 101835

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

SIRA01DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA01DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9909

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 26A (Ta), 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ407EP-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 134372

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

SIB408DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB408DK-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 127930

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా

SI5468DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5468DC-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 193145

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.8A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

IRL530PBF

పార్ట్ స్టాక్: 51245

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 15A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

IRFU9214PBF

పార్ట్ స్టాక్: 98690

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

కోరికల జాబితా

SISH106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISH106DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9993

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

SIS439DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS439DNT-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 185636

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

కోరికల జాబితా

SIR158DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR158DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 9977

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI8457DB-T1-E1

పార్ట్ స్టాక్: 116255

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

SQ3418EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3418EEV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1167

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5429DU-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1399

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

కోరికల జాబితా

SI7430DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7430DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 61511

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 26A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 8V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

SI5855CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5855CDC-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 130824

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

SI7868ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7868ADP-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 30942

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.25 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా

SIRA10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA10DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 158534

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

SQJA68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA68EP-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9941

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

SQ2360EES-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ2360EES-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1242

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా

SI1403BDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1403BDL-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9957

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7309DN-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 158562

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3.9A, 10V,

కోరికల జాబితా

IRFR1N60ATRLPBF

Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRLPBF

పార్ట్ స్టాక్: 98672

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHD9N60E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 78467

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 368 mOhm @ 4.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

SIS452DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS452DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 125881

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా

SQ1420EEH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ1420EEH-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1196

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.2A, 10V,

కోరికల జాబితా

SIRA26DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA26DP-T1-RE3

పార్ట్ స్టాక్: 9924

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా

SI2374DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2374DS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 137862

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

SIRC18DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRC18DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9922

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI1499DH-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 153359

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7113DN-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 52520

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

SIRC10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRC10DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 188404

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

SIR616DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR616DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 111187

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 50.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

SI7106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7106DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 141992

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

SISA04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA04DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 132149

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.15 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా

SQ3426EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3426EEV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1231

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

3600

«
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
»