Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే
SI4486EY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4486EY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1024

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.4A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A, 10V,

కోరికల జాబితా
SUP40N10-30-GE3
Vishay Siliconix

SUP40N10-30-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1103

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 38.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIE800DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE800DF-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1135

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 11A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7186DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7186DP-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 1034

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 32A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI3493DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3493DV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1034

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI5461EDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5461EDC-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1072

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI3483DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3483DV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1052

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.7A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.2A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI5449DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5449DC-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 1089

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI5449DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5449DC-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1085

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA406DJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 163663

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19.8 mOhm @ 10.8A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI3456CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3456CDV-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 1028

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIS414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS414DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 128723

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5402BDC-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1007

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

కోరికల జాబితా
SIE836DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE836DF-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1015

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18.3A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4.1A, 10V,

కోరికల జాబితా
SUP85N04-03-E3
Vishay Siliconix

SUP85N04-03-E3

పార్ట్ స్టాక్: 1118

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 85A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI1405BDH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1405BDH-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 6167

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI1400DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1400DL-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 171269

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.6A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI4322DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4322DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1024

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRF730ASTRRPBF
Vishay Siliconix

IRF730ASTRRPBF

పార్ట్ స్టాక్: 1048

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 400V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

కోరికల జాబితా
IRFR9020PBF
Vishay Siliconix

IRFR9020PBF

పార్ట్ స్టాక్: 42366

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 50V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9.9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4409DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4409DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 6141

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.3A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SI2343DS-T1
Vishay Siliconix

SI2343DS-T1

పార్ట్ స్టాక్: 930

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI1402DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1402DH-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 999

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.7A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
IRF9630PBF
Vishay Siliconix

IRF9630PBF

పార్ట్ స్టాక్: 56850

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.9A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI1406DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 941

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI4448DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4448DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1038

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI4438DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4438DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 1088

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 36A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7196DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7196DP-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 1059

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI7404DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7404DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1114

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 13.3A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4190DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4190DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1020

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI4884BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 83639

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 16.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI6413DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6413DQ-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 1051

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.2A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SI5913DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5913DC-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 184019

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3.7A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI5440DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5440DC-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 183838

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9.1A, 10V,

కోరికల జాబితా
SI3812DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3812DV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 1030

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

కోరికల జాబితా
SUD50N03-09P-GE3
Vishay Siliconix

SUD50N03-09P-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 98662

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 63A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా