ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే | వివిక్త సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తులు | 100

SIHG33N60E-E3

పార్ట్ స్టాక్: 8448

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 33A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIS427EDN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 163221

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 11A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHG33N60EF-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9937

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 33A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 16.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

IRF9640STRLPBF

పార్ట్ స్టాక్: 73327

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 11A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHB28N60EF-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 21389

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 28A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 14A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI2302DDS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 173909

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.9A (Tj), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 70111

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 100A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI3440DV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 132457

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.2A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 1.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHB22N60E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 16074

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 21A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHW33N60E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9974

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 33A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 73517

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIR850DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 148607

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 30A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7143DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 118957

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 16.1A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SISS10DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 162387

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIA425EDJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 167044

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHP17N80E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 13737

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 800V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 15A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI2307CDS-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 132144

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHB33N60E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 10723

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 33A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHG22N60E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 14884

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 21A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHA22N60E-E3

పార్ట్ స్టాక్: 17046

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 21A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SQ3426EV-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 174027

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI8409DB-T1-E1

పార్ట్ స్టాక్: 148595

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.6A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI1011X-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 187591

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 640 mOhm @ 400mA, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIB452DK-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 137221

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 190V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.5A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI3458BDV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 199643

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.1A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.2A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHB22N60AE-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 17115

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI8802DB-T2-E1

పార్ట్ స్టాక్: 163785

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI1469DH-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 160934

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI2367DS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 177196

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHG28N65EF-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 9545

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 28A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

IRFR310TRPBF

పార్ట్ స్టాక్: 191323

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 400V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1.7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI1411DH-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 128678

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 420mA (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 99308

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4488DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 91549

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI2343DS-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 146234

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 165746

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 2.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా