ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే | వివిక్త సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తులు | 100

SI8466EDB-T2-E1

పార్ట్ స్టాక్: 139181

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 2A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHG24N65E-E3

పార్ట్ స్టాక్: 18306

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 24A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHFB20N50K-E3

పార్ట్ స్టాక్: 8596

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 12A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SUD50P06-15-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 74965

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 17A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7469DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 64425

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 28A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10.2A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIA466EDJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 189754

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 25A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 9A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 125167

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6.8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7818DN-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 99096

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.2A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 3.4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI3447CDV-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 105308

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 12V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SQJ860EP-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 160019

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SQ2337ES-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 106205

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHW73N60E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 10602

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 73A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 36A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIA427ADJ-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 182906

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 8V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.2V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SISS64DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 25839

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 40A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4447ADY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 168321

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.2A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7852ADP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 91502

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 30A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 8V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI3421DV-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 106957

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 7A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHF15N65E-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 18255

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 650V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 15A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI2314EDS-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 152720

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.77A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7450DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 71149

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 200V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.2A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 6V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4840BDY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 113505

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 19A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4128DY-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 172312

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10.9A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7460DP-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 93649

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 11A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 18A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4472DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 58898

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 7.7A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 8V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIS430DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 153433

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 25V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHG20N50C-E3

పార్ట్ స్టాక్: 21840

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SUM110P04-04L-E3

పార్ట్ స్టాక్: 26513

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 110A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4447DY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 176493

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 40V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3.3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 15V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 4.5A, 15V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI4420BDY-T1-E3

పార్ట్ స్టాక్: 177399

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 9.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SQD19P06-60L_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 43898

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 19A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHB21N60EF-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 15843

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 21A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 176 mOhm @ 11A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIHP33N60EF-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 10543

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 33A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 16.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIR462DP-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 139880

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 30A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 20A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SQJA82EP-T1_GE3

పార్ట్ స్టాక్: 152439

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 80V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SIS407DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 164056

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 20V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 25A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 1.8V, 4.5V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V,

కోరికల జాబితా

Vishay Siliconix

SI7315DN-T1-GE3

పార్ట్ స్టాక్: 130486

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 150V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8.9A (Tc), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 7.5V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 315 mOhm @ 2.4A, 10V,

కోరికల జాబితా