Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5331DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 1460

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1467

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 161656

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1

పార్ట్ స్టాక్: 1530

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor

MUN5333DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1513

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC144EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 157107

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5235DW1T1
ON Semiconductor

MUN5235DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1487

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC123TPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123TPDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 144483

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T3G

పార్ట్ స్టాక్: 114310

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 183961

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 115589

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor

EMD5DXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1409

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1419

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5135DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 180737

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1420

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor

NSTB1002DXV5T1

పార్ట్ స్టాక్: 1514

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, 200mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, 40V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5234DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5234DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 1437

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 25827

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 106367

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124XDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1489

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

NSVMUN5312DW1T2G

పార్ట్ స్టాక్: 105116

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 142403

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1515

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5233DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 139425

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SMUN5313DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5313DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 106685

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 126380

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1G

పార్ట్ స్టాక్: 3146

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA115EDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 107413

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 100 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 100 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 104326

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T5

పార్ట్ స్టాక్: 1473

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 129909

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 1467

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5315DW1T1
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1456

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5330DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5330DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 161630

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EPDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 172427

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5135DW1T1
ON Semiconductor

MUN5135DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1492

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా