Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1456

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5

పార్ట్ స్టాక్: 1405

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5

పార్ట్ స్టాక్: 3242

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 129082

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 100 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 100 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5316DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 160200

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1G

పార్ట్ స్టాక్: 136591

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5133DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 183679

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1532

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM21156DW6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 1463

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, 65V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

కోరికల జాబితా
MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5130DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 181618

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 155743

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1004DXV5T1G

పార్ట్ స్టాక్: 3211

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

కోరికల జాబితా
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 167686

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5230DW1T1
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1467

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5136DW1T1
ON Semiconductor

MUN5136DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1413

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 100 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 100 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
UMA4NT1G
ON Semiconductor

UMA4NT1G

పార్ట్ స్టాక్: 1478

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 64095

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5214DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 115714

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV65G

పార్ట్ స్టాక్: 1485

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5230DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 174998

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5131DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 110079

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA144EDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 162633

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 3198

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 150495

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1458

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5212DW1T1
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1497

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 188714

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1G

పార్ట్ స్టాక్: 130128

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB123JPDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 107622

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA115TDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 146030

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 100 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5232DW1T1
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1444

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1461

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 162821

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114YDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 197883

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor

NSVUMC2NT1G

పార్ట్ స్టాక్: 193262

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SMUN5235DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T3G

పార్ట్ స్టాక్: 170254

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా