Menu
తెలుగుతెలుగు
Rfqs / ఆర్డర్
0Rfqs / ఆర్డర్

ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్

  • హోమ్
  •  
  • ట్రాన్సిస్టర్లు - బైపోలార్ (బిజెటి) - శ్రేణులు, ప్
NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor

NSVTB60BDW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 121402

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 150mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 1427

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5311DW1T1
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1405

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
EMC2DXV5T1
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1

పార్ట్ స్టాక్: 1502

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 22 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1447

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T3G

పార్ట్ స్టాక్: 194732

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 119881

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5215DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 125619

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5313DW1T1
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1441

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5115DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5115DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 191265

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC123JPDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 170675

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1

పార్ట్ స్టాక్: 1631

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144WDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 196284

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 22 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5233DW1T1
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1457

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 71232

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVEMD4DXV6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 115919

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1489

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1G

పార్ట్ స్టాక్: 1466

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 47 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 1446

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA143EDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 184541

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T1G

పార్ట్ స్టాక్: 119356

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 160922

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 167806

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 3201

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5215DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 136906

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
IMH20TR1
ON Semiconductor

IMH20TR1

పార్ట్ స్టాక్: 1463

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 600mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 15V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

కోరికల జాబితా
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5

పార్ట్ స్టాక్: 5401

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5131DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 122560

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1

పార్ట్ స్టాక్: 3203

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 1 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 1 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 171080

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 10 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 10 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 133800

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5231DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 74853

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 2.2 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1G

పార్ట్ స్టాక్: 1524

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 4.7 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 167892

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 4.7 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDP6T5G

పార్ట్ స్టాక్: 165090

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 2.2 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 47 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా
MUN5236DW1T1
ON Semiconductor

MUN5236DW1T1

పార్ట్ స్టాక్: 1402

ట్రాన్సిస్టర్ రకం: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ప్రస్తుత - కలెక్టర్ (ఐసి) (గరిష్టంగా): 100mA, వోల్టేజ్ - కలెక్టర్ ఉద్గారిణి విచ్ఛిన్నం (గరిష్టంగా): 50V, రెసిస్టర్ - బేస్ (R1): 100 kOhms, రెసిస్టర్ - ఉద్గారిణి బేస్ (R2): 100 kOhms, DC ప్రస్తుత లాభం (hFE) (కనిష్ట) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

కోరికల జాబితా