ట్రాన్సిస్టర్లు - FET లు, MOSFET లు - ఒకే | వివిక్త సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తులు | 21

2SK4016(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 6095

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3868(Q,M)

పార్ట్ స్టాక్: 709

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3906(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 711

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3844(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 756

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 45A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 23A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3662(F)

పార్ట్ స్టాక్: 712

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 35A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 18A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

పార్ట్ స్టాక్: 761

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3466(TE24L,Q)

పార్ట్ స్టాక్: 730

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3388(TE24L,Q)

పార్ట్ స్టాక్: 727

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3403(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 759

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 450V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 13A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3313(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 769

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3342(TE16L1,NQ)

పార్ట్ స్టాక్: 768

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4.5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2883(TE24L,Q)

పార్ట్ స్టాక్: 752

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 800V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2866(F)

పార్ట్ స్టాక్: 745

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2744(F)

పార్ట్ స్టాక్: 6130

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 50V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 45A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2845(TE16L1,Q)

పార్ట్ స్టాక్: 779

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 900V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 500mA, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2507(F)

పార్ట్ స్టాక్: 761

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 50V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 25A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 12A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2544(F)

పార్ట్ స్టాక్: 749

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 600V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 6A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK1119(F)

పార్ట్ స్టాక్: 779

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 1000V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 4A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ681(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 746

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ380(F)

పార్ట్ స్టాక్: 783

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ610(TE16L1,NQ)

పార్ట్ స్టాక్: 711

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 2A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 2.55 Ohm @ 1A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ360(F)

పార్ట్ స్టాక్: 714

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ304(F)

పార్ట్ స్టాక్: 800

FET రకం: P-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3128(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 702

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 30V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 60A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3309(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 633

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 450V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 10A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2376(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 685

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 45A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2266(TE24R,Q)

పార్ట్ స్టాక్: 654

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 45A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3132(Q)

పార్ట్ స్టాక్: 463

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 50A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 25A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3068(TE24L,Q)

పార్ట్ స్టాక్: 430

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 12A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2993(TE24L,Q)

పార్ట్ స్టాక్: 483

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 250V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 20A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2917(F)

పార్ట్ స్టాక్: 500

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 18A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2916(F)

పార్ట్ స్టాక్: 458

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 500V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 14A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2847(F)

పార్ట్ స్టాక్: 6126

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 900V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 8A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2719(F)

పార్ట్ స్టాక్: 460

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 900V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 3A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2231(TE16R1,NQ)

పార్ట్ స్టాక్: 140

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 60V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 5A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.5A, 10V,

కోరికల జాబితా

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2963(TE12L,F)

పార్ట్ స్టాక్: 23

FET రకం: N-Channel, సాంకేతికం: MOSFET (Metal Oxide), మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది: 100V, ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.: 1A (Ta), డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్): 4V, 10V, Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V,

కోరికల జాబితా